场效应管的主要参数有()等。
场效应管的三个电极分别是()、源极和栅极。
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。
结型场效应管的类型有()。
场效应管的输入、输出电阻为()
MOS场效应管的英语缩写是()。
绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。
半导体三极管与场效应管的一重要区别是什么?
场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制,是电压控制元件。
MOSFET管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管,其最重要的特点是();
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
结型场效应管的输出特性曲线可分为()。
用阶梯仪测场效应管输出特性时,场效管的栅极应加()。
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在U DS =10V,U GS =0V处的跨导gm约为()。 https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg
场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下场效应管的噪声比晶体管的要小。
以下哪些是功率场效应管的特点()。
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。
简述场效应管的主要参数有哪些?
场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要()
手机中的晶体管与场效应管的颜色绝大多数是()。
场效应管的放大功能是依赖于()实现的.
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。
开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。<img src='https://img2.soutiyun.com/1/2021-04-06/986572027540741.png' />