场效应管的主要参数有（）等。
场效应管的三个电极分别是（）、源极和栅极。
结型场效应管的类型有（）。
场效应管的输入、输出电阻为（）
MOS场效应管的英语缩写是（）。
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。
半导体三极管与场效应管的一重要区别是什么？
结型场效应管的文字符号为（）。
场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。
场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。
防内外网联是依赖于客户端VLAN功能实现的。
MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；
构成场效应管的材料不包含（）.
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。
场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体管的要小。
以下哪些是功率场效应管的特点（）。
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。
在选取DDZ-Ⅱ型温度变送器调制管用场效应管V1时，应选用栅漏极间分布电容小的管，以免微分作用使后面的交流放大器不能正常地工作。另外、场效应管的栅极控制电压的幅值也不允许太大。
场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要（）
手机中的晶体管与场效应管的颜色绝大多数是（）。
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
场效应管放大电路场效应管的3种基本放大电路——共源、共漏和共栅电路与晶体管的3种基本放大电路共射、共集和共基相对应（）
场效应管的最主要特性是（）
