某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。<img src='https://img2.soutiyun.com/1/2021-04-06/986572027540741.png' />
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
时间:2024-01-31 09:17:24
相似题目
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测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如图所示,则可判定该管为()https://assets.asklib.com/images/image2/2017071115252680396.jpg
A . 锗管①为b极
B . 硅管③为c极
C . 锗管②为e极
D . 硅管③为b极
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测得某放大状态的晶体三极管,各管脚的电位如题4图所示,则可判定该管为()https://assets.asklib.com/images/image2/2018071014394324811.jpg
A .
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用万用表测二极管时正反方向电阻相差较大,正向电阻很小,则说明该管为好管。
A . 正确
B . 错误
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已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在U
DS
=10V,U
GS
=0V处的跨导gm约为()。
https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg
A . 1mA/V
B . 0.5mA/V
C . -1mA/V
D . -0.5mA/V
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某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时,漏极电流Id=10mA,则该管的类型为()。
A . 耗尽型管
B . 增强型管
C . 绝缘栅型
D . 无法确定
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如果管子以均匀的速度滚动而不摆动,且在任意的位置上停止时,可以确定该管为()。
A . 弯管
B . 偏心管
C . 椭圆管
D . 直管
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一场效应管漏极特性如图3-1所示,则(1)该场效应管管型为(________);(2)夹断电压Vp或开启电压VT(________);(3)Idss=(________)。
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理想高通滤波器的传输特性如图4-19所示,亦即其转移函数为求其单位冲激响应。
理想高通滤波器的传输特性如图4-19所示,亦即其转移函数为
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-05-27/959442396014266.png' />
求其单位冲激响应。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-05-27/959442403673704.png' />
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某场效晶体管的 U GS () = 3V 。 什么情况下该管导通?
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某最小相位系统的开环幅相特性如图所示则该系统型别为()<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/2021-11/2/1375/2021110215191033.png' />
A.2
B.0
C.3
D.1
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一场效应管,当uGS=-0.3V时,iD=4mA,当uGS=0.8V时,iD=3mA,试问该管的gm为多少?
一场效应管,当u<sub>GS</sub>=-0.3V时,i<sub>D</sub>=4mA,当u<sub>GS</sub>=0.8V时,i<sub>D</sub>=3mA,试问该管的g<sub>m</sub>为多少?
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放大电路如图1所示,RG1=100K,RG2=50K,RD=3K,RL=3K;场效应管T的参数如下:Kn=0.25mA/V2,Vth=2V,rds=∞。(<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/99190431480026.jpg' />)
1) 计算晶体管T1的静态工作点IDQ,VGSQ和VDSQ;
2) gm, 中频电压放大倍数Av,输入电阻Ri和输出电阻Ro;
<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991904389315793.jpg' />
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电路如图所示,稳压管的稳定电压Uz=6 V,电源Us=4 V,则负载RL两端电压UL为 ()。<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/1818001-1821000/1818888/ct_jgzjgysm_jgzjgyschoose_00710(20093).jpg' />
A.10V
B.6V
C.4V
D.OV
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图示电路中,N为含源线性电阻网络,其端口伏安特性曲线如图b)所示,其戴维南等效电路参数应为()<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/18087001-18090000/18087885/2015102715435057213.jpg' />
A.<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/18087001-18090000/18087885/2015102715442257377.jpg' />
B.<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/18087001-18090000/18087885/2015102715442535355.jpg' />
C.<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/18087001-18090000/18087885/2015102715442726007.jpg' />
D.<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/18087001-18090000/18087885/2015102715443096508.jpg' />
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电路如图题5.2.5(主教材图5.2. 10a)所示。设R=0.75 kΩ, Rg1=Rg2=240kΩ,Rs=4 kΩ。场效应管的gm =1
电路如图题5.2.5(主教材图5.2. 10a)所示。设R=0.75 kΩ, Rg1=Rg2=240kΩ,Rs=4 kΩ。场效应管的gm =11.3 mS,rds=50 kΩ。试求源极跟随器的源电压增益AUS=Uo/Us,、输入电阻R,和输出电阻R0。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-29/962269380832062.jpg' />
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已知一最小相位校正器的开环幅频特性曲线如图4所示。 则该校正器为:()<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/2021-11/2/743/2021110215141868.png' />
A.惯性环节
B.积分环节
C.比例环节
D.比例微分环节
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电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为g<sub>m1</sub>=0.7mS,λ<sub>1</sub>=λ<sub>2</sub>=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为g<sub>m1</sub>=0.7mS,λ<sub>1</sub>=λ<sub>2</sub>=0.01V<sup>-1</sup>。场效
应管静态工作时的偏置电流I<sub>REF</sub>=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A<sub>e</sub>。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-17/97447865220952.png' />
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如图所示某机电系统机械特性曲线,其中稳定运行点是()。<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/2021-11/18/1021/20211118115753373.png' />
A.A点
B.B点
C.C点
D.D点
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在图P4.9所示电路中,已知T<sub>1</sub>~T<sub>3</sub>管的特性完全相同,β>>2;反相输入端的输入电流为i<sub>I1</sub>,同相输入端的输入电流为i<sub>I2</sub>.试问:<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-01-09/979039538307596.png' />
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-01-09/979039518243448.png' />
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某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。
A.N沟道结型管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型PMOS管
D.耗尽型NMOS管
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如图所示有压恒定流水管直径d=50mm,末端阀门关闭时压力表读数为21kPa,阀门打开后读值降至5.5kPa,如不计水头损失,则该管的通过流量Q为()L/s
A.18
B.15
C.10.9
D.9
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测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、- 2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
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电路如图题5.7.3所示。设两管的特性一致,β<sub>1</sub>=β<sub>2</sub>=50,V<sub>BEQ1</sub>=V<sub>BEQ2</sub>=0.7V。(1)试画出
电路如图题5.7.3所示。设两管的特性一致,β<sub>1</sub>=β<sub>2</sub>=50,V<sub>BEQ1</sub>=V<sub>BEQ2</sub>=0.7V。(1)试画出该电路的交流通路,说明T<sub>1</sub>,T<sub>2</sub>各为何种组态;(2)估算I<sub>CQ1</sub>、V<sub>CEQ1</sub>,I<sub>CQ2</sub>,V<sub>VEQ2</sub>。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-27/975339758909001.png' />
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四个FET的转移特性分别如图题4.8.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET?
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-17/974479758829815.png' />