锗二极管的正向压降通常为()。
JSS-4A型晶体三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和()的常用仪器。
当测二极管正向电阻时,若指针在标度尺()左右为锗二极管。
已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流为0.047mA,则其微变等效输入内阻为()。
低频大功率三极管(NPN型锗材料)管用()表示。
锗二极管允许工作温度较硅二极管高,一般用其制成中、大功率的二极管。
半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。
型号为“SKY77331”功放内部集成了功控IC、发射耦合器、功率检波二极管。()
锗材料二极管的死区电压为()V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
晶体三极管低频小信号放大器能()。
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
二极管型号“2B、W”表示P型锗材料稳压型二极管。
S700K转辙机表示二极管型号为()的大功率二极管.
型号为3DG21的半导体三极管,是硅材料的NPN型高频小功率管。
高频大功率三极管(PNP型锗材料)管用()表示。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 ()
大功率、小功率、高频、低频三极管的图形符号是一样的。()
普通锗二极管的死区电压为( )。
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
锗材料,低频小功率三极管的型号为()。(晶体管)
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
2CK表示是();2CZ表示是();2DW表示是();3AX表示是()材料,()型低频小功率管;3DG表示是()材料,()型高频小功率管。
锗材料二极管的死区电压为()伏。