锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
最高反向工作电压指二极管长期工作时，允许加到二极管两端的最高反向电压，一般就取反向击穿电压。（）
锗二极管的正向压降通常为（）。
锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。
在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
锗二极管的正向电阻在（）左右。
晶体三极管一般采用硅平面和锗平面工艺结构，两者的结构和工作原理不一样。（）
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。
二极管按材料分锗二极管和硅二极管。
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
锗二极管的过渡区电压大致在（）。
温度高、灰尘大、不允许打滑的工作现场一般宜选用（）。
锗二极管正向导通电压应为（）。
一般情况下，我们知道，导通后二极管两端电压变化很小锗管约为（)。
载波机电路中的二极管2CP10属于锗管（）
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
普通锗二极管的死区电压为( )。
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（）伏
在同样温度变化的情况下，硅二极管要比锗二极管性能稳定（）
硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)
锗二极管的单项导通电压（）
锗材料二极管的死区电压为（)伏。
