锗二极管允许工作温度较硅二极管高,一般用其制成中、大功率的二极管。
在同样的反向电压下,二极管的反向电流越小越好。
硅二极管具有()导电性能。
硅三极管正常工作时的Ube变化范围在()
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
硅整流二极管在正向电压的作用下,电流由()流通。
硅整流二极管的特性是单向导电性能。
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
硅稳压二极管应在反向击穿状态下工作。
因反负饱合电流的影响,在温度变化较大的环境下三极管应选择()管;
硅稳压二极管的稳定电压U,与温度有关,当温度变化时,U将随着变化。
所谓全集成电路就是把三极管、二极管、电阻、电容器等元件同时制在一块硅基片下。
硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
有一硅光电二极管,其光敏面积为2mm2,在室温下测得输出光电流为15μA(一般硅光电二极管的灵敏度SI=0.5μA/μW),
硅二极管的温度每升高8℃,反向电流约增加()倍。
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
题目62.当温度升高,硅二极管的反向饱和电流将()
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的反向电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的反向电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
题目45.在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()
2、在常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V;
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()