PN结的电容由势垒电容和()电容两部分组成。
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的(),这种情况下的电流称为()。
PN结外加反向电压时,外力日电场的方向与自建电场的方向一致,使空间电荷区(),势垒加高。
三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
由于PN结内存在着内电场,因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是()。
变容二极管是一种利用pn结电容(或接触势垒电容)与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管,其反偏电压愈大,结电容愈大。()
当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。
PN结有结电容。
集成电路中的电容是用PN结电容,大于100PF的电容也可制造。
处于放大状态的晶体管,集电极电流是由多子扩散运动形成的。
在PN结外加正向电压时,扩散电流( )漂移电流。
势垒区宽度越大,势垒电容越小
PN结空间电荷区是由(_ _ _)
当PN结稳定以后,扩散运动和漂移运动也就完全停止了。()
一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
二极管的工作频率有最大限制,是因为PN结具有电容特性。
当PN结外加反向电压时,漂移电流大于扩散电流。
PN结空间电荷区又称为__,在平衡条件下电性呈__,P区侧应带__,N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
20、P+N结中的势垒电容大小基本只受N区一侧掺杂浓度影响
1、PN结势垒区电势最低的位置是()。
7、PN结正偏时,势垒电容是主要的。
简要叙述PN结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。
2、以下关于PN结电容说法正确的是