将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（），势垒加高。
二极管两端加反向电压时，PN结的空间电荷区（）。
P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做______。
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）
PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ），加反向电压时，空间电荷区将（ ）。
PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略
PN结具有（________）性能，即加正向电压时ＰＮ结（________） ，加反向电压时ＰＮ结（________） 。
三极管有（_ _ _)个PN结，按其排列方式的不同，分为PNP型和NPN型两种
【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄，反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
PN结可以看成一个电容，空间电荷区域相当于介质，P区和N区则为导体（）
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄（）
【判断题】PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略
1、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（）
16、PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
PN结空间电荷区又称为__，在平衡条件下电性呈__，P区侧应带__，N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
7、PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。
15、PN结形成后，空间电荷区由 组成。
18、PN结的空间电荷区的电荷有（）。
PN 结加正向电压时,空间电荷区将 ,有利于 运动;PN 结加反向电压时,空间电荷区将 ,有利于 运动
6、当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将____
