解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
离子晶体中的电导主要为离子电导。可以分为两类：（）和（）。在高温下本征电导特别显著，在低温下（）电导最为显著。
通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。
CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？
以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？
半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
半导体级硅的纯度为99.9999999%。
N型半导体的费米能级处于禁带（）。
非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）
为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
Ｐ型半导体又叫（_ _ _)型半导体，它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的，其中多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子
本征半导体入五价元素后成为（)型半导体。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
硅的禁带宽度比锗大，所制作的器件比锗耐高温。
半导体的导电特性及PN结在本征半导体中掺入三价元素后的半导体为（）
【判断题】通常情况下,绝缘体禁带宽度大于半导体
光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
7、绝缘体和半导体的能带类似，但绝缘体的禁带宽度一般要（）半导体的禁带宽度。
19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
1、3.随着温度升高，太阳能电池材料的禁带宽度将会（）。
