说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。
为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？
试说明热力学能的定义及其物理意义。
掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。
半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率，它的载流子是“电子――空穴对”。哪么产生一个“电子－空穴对”需要的平均电离能是多少？法诺因子的范围是多少？
锗的本征导电能力比硅高（）。
试说明焓的定义及其应用于开口系统时的物理意义。
半导体本征吸收与本征光电导
如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体，外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的（）。https://assets.asklib.com/psource/2015031208585164143.jpg
按照能带结构理论，本征半导体的能带可以分为（）个。
N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ]．
设质量为m的粒子处于势场V（x) =-Kx中，K为非零常数。在动量表象中求与能量E对应的本征波
对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是库仑散射。
试以基态氢原子为例证明:ψ不是的本征函数，而是的本征函数。
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
试说明节点导纳矩阵的特点及其元素的物理意义。
证明是线性谐振子的本征波函数，并求此本征态对应的本征能量，式中A为归一化常数，
下列函数哪些是算符的本征函数，其本征值是什么？
19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
