已知8086系统某存储单元物理地址为12345H,写出4个可以与它对应的“逻辑地址”。
有第四周期的四种元素A、B、C、D,其价电子数依次为1、2、2、7,其原子序数依A、B、C、D依次增大。已知A与B的次外层电子数为8,而C与D的为18。根据原子结构判断:(1)分别写出A、B、C、D四种元素原子的核外电子排布式?(2)D与A的简单离子是什么?(3)哪一元素的氢氧化物碱性最强?(4)B与D能形成何种化合物?写出化学式。
已知学生记录描述为:struct student{int num;char name[20];struct{int year;int month;int day;}birth;};struct student s;下列对“生日”的正确赋值方式是()
已知学生记录描述为:struct student{int num;char name[20];struct{int year;int month;int day;}birth;};struct student s;下列对“生日”的正确赋值方式是()
已知数组 a 的定义为 char a[ ]= “abc\\tde\\n”; ,请写出 strlen(a) 的值为:( )。
(2014杭州填空题) 根据下列句子及所给的首字母,写出单词的完全形式(每空限填一词)。 She is t years old now and next year she will be fourteen.
已知文法G[A],写出它定义的语言描述
已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出的表达式.
已知y=f(x)的函数表列出向前差分表,井写出牛顿向前插值公式。
已知电路如图所示,试画出其去耦等效电路,并写出其阻抗表达式。
已知逻辑函数的真值表如表题1.6.1所示,试写出其逻辑函数表达式。
已知year为整型变量,不能使表达式(year%4==0&&year%100!=O)||year%400==0的值为“真”的数
已知: (1)写出由上列两个半反应组成的原电池符号;(2)写出电池反应方程式;(3)求 值。
由理想运放构成的电路如下图所示,已知写出输出电压与输入电压之间的函数关系。
已知a=12,写出表达式(0<a)&&(a<2)的值是
已知year为整型变量,不能使表达式(year%4==0&&year%100!=0)year%400==0的值是“真”的数据是()
已知线性方程组Ax=b,其中,写出其雅可比迭代矩阵、高斯-赛德尔迭代矩阵。
已知,写出A可逆的一个充要条件,当A可逆时,求A<sup>-1</sup>.
已知由四选一数据选择器构成的逻辑电路如图3-2所示,写出输出函数表达式,说明电路逻辑功能.
已知 year 为整型变量,可以使表达式(year%4==0&&year%100!=year%400==0的值为""真""的数据是()
设总体是取白该总体的一个样本,对于检验其中μ<sub>0</sub>是已知常数(1)当σ<sup>2</sup>已知,写出拒绝域W:
已知一矩形试样,宽度为bo,厚度为ao,写出横截面积的表示公式?
3.已知线段a,尺规求作a/3, 写出作图步骤并证明。
1、已知p(x)=x4+x3+1是一个本原多项式,以p(x)为特征多项式构造一个4阶LFSR,试回答下列问题: (1)系数在GF(2)上且次数低于3次的多项式有多少个? (2)验证p(x)=x4+x3+1是GF(2)上的一个不可化约多项式。 (3)请画出该LFSR的结构示意图,并写出它的的递推关系式;若t=0时,该4阶LFSR的状态由高到低表示为(0110),试写出它在t=2时的状态。 (4)判断该LFSR输出序列的周期是多少?状态序列的周期是多少?为什么?