离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。
在半导体制造业中,最早的互连金属是(),在硅片制造业中最普通的互连金属是(),即将取代它的金属材料是()。
内存多手指的两种制造方法是()
有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。
在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
光刻胶的光学稳定通过()来完成的。
在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。
光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区,光刻时需要使用哪种光刻胶?为什么?并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
内存金手指的两种制造方法是()。
洗胶的目的是什么?
光刻和刻蚀的目的是什么?
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或()。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为()或()。
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
3.在教育目的价值取向上,存在的两种典型对立的理论主张是( )。
基片上光刻胶的厚度对后续的曝光没有影响
在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即()和()。
某开发区拟建设一集成电路项目,项目规模为建设8英寸0.35~0.18m芯片(月投产4000片);12英寸(3.048cm)先进制程线,0.13~0.09m芯片工艺为主。芯片生产工序主要有外购硅片清洗、氧化、光刻、蚀刻、扩散、离子植入、化学气相沉积、金属化、后加工等。 根据上述资料,回答下列问题。1.简述该项目建设与相关产业政策的符合性分析。2.确定该项目大气预测因子和水评价因子。3.确定该项目的固
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中,带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序,“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么?
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同?
17、光刻胶的主要性能指标包括: 。
2、光刻胶的主要成分是