对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
什么是正光刻胶，负光刻胶？
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
8、涂胶前处理（加HMDS）是为了提高光刻胶粘附力的作用。
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
17、光刻胶的主要性能指标包括： 。
2、光刻胶的主要成分是
