当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,离子的膜扩散速度较快,此时内扩散过程成为整个离子交换速度的控制因素,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,离子的膜扩散速度就变得比较慢,整个离子交换速度受膜扩散过程控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。()
以下哪些工艺应用的原子扩散的理论()
当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,膜扩散速度较快,整个交换速度偏向受内扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,膜扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受膜扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。()
当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,()扩散速度较快,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂()时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,()扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行()时的情况。
光放大器的原理是利用光纤纤芯中掺杂的稀土元素受到泵浦光辐射来实现对()信号光的放大。
由于扩散过程是依靠浓度梯度而进行的,所以水中离子浓度是影响扩散速度的重要因素。当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,膜扩散速度较快,整个交换速度偏向受内扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;若水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,膜扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受膜扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。当然水中离子浓度变化时,树脂因膨胀和收缩也会影响内扩散速度。()
以下哪些信息必须通过维护电源来实现()
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
在汇接局组网方式下,以下哪些业务可以通过SHLR来实现()。
以下哪些功能目前可以采用站域控制来实现()
聚合需求模式可以通过以下哪些平台来实现( )
DTIA主要通过以下哪些方式来实现“设计驱动创新”的目标?
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
c可以采用以下哪些技术来实现对象内部数据的隐藏?
(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
题3-2-2 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的,主要有三种方式。如下不是固相扩散方式的是: 。
判断:(1)气相外延时,能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 (2)掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍,以减小掺杂气体的流量误差。
1、杂质的扩散掺杂两种方式: 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺,结合两种扩散工艺,分为 和 ,预淀积是惰性气氛下的 扩散,目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散,将窗口杂质再进一步向片内扩散,目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关,在干氧氧化时, 晶面的氧化增强的效果最强。 5、(判断)硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离,无需再退火激活,这种说法是否正确。
扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用()法测试。
10、企业战略目标需要通过以下哪些方面来实现?
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
有毒气体、蒸气是以能达到“立即危及生命或健康的浓度(IDLH)”处作为泄漏发生后最初30min内的急性中毒区的边界,或通过气体监测仪监测气体浓度变化来决定扩散区域。