说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
影响颗粒电泳迁移率的主要因素有（）
对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？
影响电泳迁移率的因素有哪些？
影响电泳迁移率的因素有()
抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）
量纲分为基本量纲和导出量纲。基本量纲是独立的量纲，基本量纲之间不能互相导出。（）
光敏电阻吸收了光量子能量，使得载流子迁移率增加，导致电导率增加。
在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（）。
抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。
影响电泳迁移率的因素有（）
制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）
载流子迁移率（μ）的单位是（）。
离子电迁移率的单位可以表示成： ( )
半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
影响迁移率的主要因素有哪些？
对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是库仑散射。
以下哪些因素不是影响离子迁移率的主要因素？
4、关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是：
2、输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。
