晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
单向晶闸管（可控硅）由（）个半导体层构成，共有（）个PN结。
晶闸管的内部结构具有4个PN结
晶闸管是由PNPN四层半导体组成的，其中有三个（）结。
可控硅内部有3个PN结，外部引出（）个电极。
晶闸管有阳极、阴极和控制极，其内有四层PNPN半导体，（）个PN结。
晶闸管内部的基本结构是由二个以上的PN结组成的。
普通晶闸管是在一块半导体上制成（）个PN结，再引出电极并封装加固而成。
晶闸管是一个四层三端元件，其内部有三个PN结，三端的名称分别是（）。
晶闸管是由三个PN结共四层半导体组成。
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结
晶体三极管和晶闸管都有三个电极，因此它们都是由2个PN结组成的。
（）是在一块半导体材料上，制作出三个区，构成两个PN结，并分别从三个区中引出三条引线，在封装在管壳里。
晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。
晶闸管是具有（)个PN结、（)极、（)极和（)极的硅半导体器件。
晶闸管内部具有PN结（）
【填空题】就控制方式而言，晶闸管是一种 控制型器件，是一种具有 层半导体结构的电力电子器件，具有 个PN结。
晶闸管有三个PN结，三个电极（）
一个三极管和一个二极管用连线将它们连接，使之成为有三个PN结的半导体，代替一个晶闸管使用。（)
晶体管有两个PN结、三个引脚、三个区域。（）
7、PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。
18、晶闸管内部由半导体材料构成一个 三端结构，共形成 PN结，引出 、 和门极G三端。
半导体二极管由（)个PN结组成。
