硅PN结的正向导通电压约为().
硅管的导通电压约为0.3V。
硅二极管的导通电压是0.7V()
锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
从二极管伏安特性看,当()时,二极管的导通电阻小.
二极管的导通电压都是0.7V。
硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为()
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
锗二极管正向导通电压应为()。
三极管的导通电压为()。
锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
硅二极管正向导通电压为__ __伏,锗二极管正向导通电压为___伏。
在一定的温度条件下,如果二极管的导通电压增大,则反向饱和电流也增大。()
晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对,错)。
()当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时,三极管处于截止状态
三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
1、三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
锗二极管的单项导通电压()