晶体材料在应力作用下产生应变时引起晶体电荷的不对称分配,异种电荷向正反两面集中,材料的晶体就产生电场和极化。这种效应称为()。
在书写晶体结构缺陷符号时,上标为•表示带()个电荷。
当外加交变电压的频率()石英晶体的固有振荡频率时,晶体将产生共振。
离子晶体生成Schttky缺陷时,正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随()的增加。
在硅砖中,方石英晶体的真密度最小,线膨胀率小,热稳定性比磷石英和石英好,抗渣侵蚀性强,导热性好,是石英体积最稳定的形态。
由于共析转变前后相的晶体构造、晶格的致密度小同,所以转变时常伴随着体积的变化,从而引起内应力。
晶体管电压调节器具有重量轻、体积小、寿命长、可靠性高和工作不产生火花的优点,但调节精度不高。()
按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为()。
何谓晶体缺陷?在工业金属中有哪些晶体缺陷?
某些单晶体或多晶体陶瓷材料,在应力作用下产生应变时引起晶体电荷的不对称分配,异种电荷向正反两面集中,材料的晶体就产生电场和极化,这种现象称为()。
在书写晶体结构缺陷符号时,上标’’表示带()个电荷。
某些单晶体或多晶体陶瓷材料在应力作用下产生应变时引起晶体电荷的不对称分配,异种电荷向正反两面集中,材料的晶体就产生电场和极化。这种效应称为()。
压电石英晶体表面上产生的电荷密度与()。
当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶体内原子热震动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为()
在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这种缺陷称为( )。
晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的(2.0分)
16、根据产生的方式不同,晶体中的点缺陷分为: 、 和 。
在晶体形成空位的同时又产生间隙原子,这种缺陷称为()
已知甲烷水合物晶体属于立方晶系,晶胞参数a=1.20nm,Z=1(8CH<sub>6</sub>•46H<sub>2</sub>O)。试求晶体的密度,标准状态下1m<sup>3</sup>晶体可得多少甲烷和淡水?
对于SRAM,每个内存单元有2-4个晶体管,所以它的体积相对要大一些。( )
2、点缺陷的存在会造成点阵畸变,使晶体内能升高,晶体热力学稳定性()。
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
有一黄铜合金含Cu75%,Zn25%(质量),晶体的密度为8.5gcm<sup>-3</sup>,晶体属立方面心点阵结构,晶胞中含4个原子。Cu的相对原子质量63.5,Zn为65.4。(1)求算Cu和Zn所占的原子百分数;(2)计算每个晶胞中含合金的质量;(3)计算晶胞体积;(4)计算统计原子的原子半径。