高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后（）

A . A．入射面处曲线集中，随深度增加，逐渐散开，有较大的旁向散射 B . B．曲线的曲度随深度，射野面积及能量变化而变化 C . C．等剂量曲线(包括百分深度剂量曲线)只有对具体机器在具体条件下才有意义 D . D．等剂量曲线表明，低值等剂量线向内收缩而高值等剂量线则呈膨胀趋势 E . E．不论入射是平的还是弯曲的，曲线中心部分与入射表面平行

A . d100和d90 B . d100和d85 C . d85和d90 D . d50和d85 E . d95和d107

A . 1cm B . 2cm C . 2.5cm D . 3cm E . 4cm

A . 5MeVN≤E＜10MeV；1.0cm B . MeVN≤E＜10MeV；1.5cm C . 10MeVN≤E＜20MeV；2.0cm D . 20MeVN≤E＜50MeV；3.0cm

A . 能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少 B . 能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加 C . 能量增大时.表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加 D . 能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加 E . 能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少

A . 50% B . 60% C . 75% D . 85% E . 95%

A . A、5MEVN≤Ｅ＜１０ＭEV1.0Cm B . B、MEVN≤Ｅ＜１０ＭEV1.5Cm C . C、10MEVN≤Ｅ＜20ＭEV2.0Cm D . D、20MEVN≤Ｅ＜50ＭEV3.0Cm E . E、最大吸收剂量所在参数

A . A、表面剂量随能量的增加而增加 B . B、从表面到DmAx为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加 C . C、从DmAx得到D80(D85)为治疗区，剂量梯度变化较小 D . D、D80(D85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯 E . E、度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加

A . 大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区 B . 大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区 C . 大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区 D . 剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减 E . 和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

A . A．钴-605cm B . B．＜10MV5cm C . C．＜10MV7cm D . D．11MV－25MV7cm E . E．26MV－50MV10cm

A . 1-1.5 B . 1.5-2 C . 2-2.5 D . 2.5-3 E . 3-3.5

A . 随能量增加，皮肤剂量加大 B . 随能量增加，皮肤剂量减小 C . 随能量增加，皮肤剂量不变 D . 10MeV之后随能量增加，皮肤剂量减小 E . 10MeV之后随能量增加，皮肤剂量不变

A . 可有效地避免对靶区后深部组织的照射 B . 皮肤的剂量相对较高，且随电子的能量增加而增加 C . 百分深度剂量随射野大小特别在射野较小时变化明显 D . 输出剂量按平方反比定律计算 E . 主要用于治疗表浅或偏心的肿瘤和侵润淋巴结

A . 1cm B . 2cm C . 2.5cm D . 3cm E . 4cm

A . 剂量建成区 B . 高剂量坪区 C . 剂量建成区和高剂量坪区 D . 高剂量坪区和剂量跌落区 E . 剂量跌落区和X射线污染区

A . 剂量建成区 B . 高剂量坪区 C . X射线污染区 D . 剂量跌落区 E . 指数衰减区

A . d100和d90 B . d100和d85 C . d85和d90 D . d50和d85 E . d95和d107

A . 50% B . 60% C . 75% D . 85% E . 95%

A . A、电子穿射射程正比于电子能量 B . B、可按公式E、=3×D、后+2ME、V–3ME、V,选取所需要的能量，式中E、为电子束能量，D、为肿瘤或靶区的后援深度 C . C、同等剂量分布均匀，过最大剂量点后，剂量急剧下降，可保护病变后正常组织 D . D、建成区剂量分布均匀，过最大剂量点后，剂量急剧下降，可保护变后正常射也 E . E、高能电子束对表浅及偏位肿瘤的放疗具有独特的优越性

A . 随能量增加，皮肤剂量加大 B . 随能量增加，皮肤剂量减小 C . 随能量增加，皮肤剂量不变 D . 10MeV之后随能量增加，皮肤剂量减小 E . 10MeV之后随能量增加，皮肤剂量不变