3、关于硅的热氧化,下面哪种说法正确:

A.湿氧比干氧慢得多; B.水汽氧化层比干氧氧化层致密; C.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的; D.升高氧气(或水汽)分压不影响生长速率。

时间:2024-03-08 15:55:19

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