当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。
晶体三极管的发射结正偏时，三极管一定工作在放大状态。
三极管的发射结正偏、集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）
三极管起电流放大作用的外部条件是：发射结正偏，集电结（）。
当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（）
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。
晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用。
三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏。
当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态。
三极管工作在放大状态的外部条件是，发射结正偏，集电结反偏 。
晶体管放大条件是发射结反偏，集电结正偏。（）
测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于()
3.处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结反偏 C.发射结正偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结正偏
右图中箭头表示三极管发射结正偏时的()方向。
三极管的输入输出曲线发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在（）区的外部条件
晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏
当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。
三极管放大作用的外部条件为：发射结正偏，集电结反偏。（)
三极管的饱和条件：发射结正偏、集电结正偏（）
