二极管伏安特性曲线上有一个死区电压,什么是死区电压?
硅管的死区电压为05V,锗管的死区电压为()
硅管的死区电压约为()。
二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。
从三极管的特性曲线上看,饱和区内的特点是()。
晶体三极管工作时,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。
硅管的正向导通电压约为0.7V.
硅管的导通电压约为0.3V。
从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?
导通后二极管两端电压变小,硅管约为()。
二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。
硅管的正向电压为0.2V。
硅管与锗管的死区电压分别为()。
锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
硅管的正向电压为()V。
二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极度管的死区电压约 V。
二极管导通后,正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为( ),锗管的正向压降为( )
通常硅管的死区电压约为()
硅管()的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
3、硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
二极管主要特性是具有单向导电性,当正向导通时,硅管的电压降约为()
5、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降