晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。
在共发射极晶体管的放大电路中,当无输入信号(静态)时,集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极()放大系数。
三极管共射极交流电流放大系数的定义是()。
共射极电路不但能得到电压放大,而且还可以得到电流放大。
共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻是()。
电流放大系数β
三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为(),β为电流放大倍数。
半导体三极管的电流放大系数β为该管的集电极电流与基极电流的比值。()
在共发射极晶体管的放大电路中,当加有输入信号(动态)时,集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极()放大系数。
晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie等于()。
共射极、()放大电路有电流放大作用.
三极管交流电流放大系数β一般选用()之间,过大性能不稳定,过小电流放大能力低。
处于放大状态下三极管的发射极电流是基极电流的(1+β)倍。()
共射极基本放大电路中,如果有输入信号且处于放大状态,基极电流是( )信号。
晶体三极管在放大状态时,当管子的基极电流为10微安时,集电极电流为1毫安,则三极管的静态电流放大系数是( )。
晶体管放大电路直流工作点指的是:基极电流IB、集电极电流 IC和电流放大系数β。
(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
共射截频fβ为共射电流放大系数对应的截止频率,共基截频fα为共基电流放大系数对应的截止频率,两者的关系为()。
()我们将晶体管的集电极电流ΔIC与基极电流ΔIB的比值称为晶体管的交流电流放大系数β
共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻()
固定偏置共射极放大电路,如果电源电压为10V,基极偏置电阻为200kΩ,集电极电阻为1kΩ,三极管的β=100,则三极管的静态电压UCE为()。
三极管的共基极电流放大系数为()。
集电极电流Ic与基极电流Ib之比β是电流放大系数,反映了基极电流对 电流的控制能力
NPN型BJT共射放大电路的交流输出电压波形上半周失真时为(),此时应该()基极电流。