如附图所示。用泵将容器中的蜂密以6.28×10^-3m³/s的流量送往高位槽中，管路长（包括局

A . 正常 B . 定子线圈有开路点 C . 有开路的硅管 D . 有一硅管短路

A . 正确 B . 错误

A . 正确 B . 错误

一平面简谐波的波动方程为y=0.1cos(3πt-πx+π)(SI)t=0时的波形曲线如附图所示，则()。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961846215275378.png' /> (A)O点的振幅为-0.1m. (B)波长为3m (C)a、b两点间相位差为π/2 (D)波速为9m•s-1

已知凸轮按逆时针方向作等速回转,其基圆和偏距圆如附图4-41(a)所示,从动件在推程、远休止阶段的位移线图如附图4-41(b)所示.试求: (1)画出推程阶段和远休止阶段的凸轮廓线; (2)标出凸轮从起始位置回转180°时,凸轮廓线上B点的压力角α_B; (3)作出当ω=10rad/s时,从动件在上述阶段的速度、加速度线图; (4)说明在何处产生何种冲击？ <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/97817680568343.png' />

(1)求正方形中心的磁感应强度B (2)当a=20厘米，I=20安时,B等于多少 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-07-16/963755778559461.png' />

<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-07-16/963748234707978.png' />

<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-07-17/963831699672339.png' />

附图中的平板电容器由面积为A的两块圆形金属板构成，已知内壁电荷随时间的变化为q=q_msinωt，边缘效应可以忽略． <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/6084001-6087000/2521005574c2da36613df946eee24e9d.jpg' /> 求电容器内的位移电流密度；

一块尺寸为10mmx 10mm的芯片(附图中的1)通过厚0.02mm的环氧树脂层(附图中2)与厚为10mm的铝基板(附图中的3)相联接。芯片与铝基板间的环氧树脂热阻可取为09×10-4m²K/W .芯片与基板的四周绝热，上下表面与<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-17/955986836085693.png' />的环境换热，表面传热系数均为h=1soW /(mn K) .芯片本身可视为一等温物体，其发热率为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-17/95598685521389.png' />.铝基板的导热系数为2600W /(m.K).过程是稳态的。试画出这一热传递过程的热阻分析图，并确定芯片的工作温度。 提示:芯片的热阻为零，其内热源的生成热可以看成是由外界加到该节点上的。

如题图8.11所示,在一平行板电容器的两极板上,带有等值异号电荷,板间充满<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-07/955103227153367.jpg' />的电介质,电介质中的电场强度为1.0x×106 V/m,不计边缘效应,试求:(1)电介质中电位移的大小和方向;(2)极板上电荷面密度。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-07/955103252311835.jpg' />

如题图10.2(10)所示,圆形平行板电容器,从q=0开始充电,试画出充电过程中,极板间某点P处电场强度的方向和磁场强度的方向. <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-07/955124659994767.jpg' />

设有如附图所示的几何体，半球表面是绝热的，底面被一直径 (D=0.2m)分为1. 2两部分。表面1为灰体，T1= 550K，<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-20/956224355915667.png' />=0.35,表面2为黑体，T2=330K. 试计算表面1的净辐射损失及表面3的温度。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-20/956224369422512.png' />

(1)线圈每边所受的安培力; (2)对00轴的磁力矩大小。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184509726903.png' />

如附图所示，有一电子以初速度v0沿与均匀磁场B成α角度的方向射入磁场空间。试证明当图中的距离<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184333374816.png' />时(其中me为电子质量，e为电子电量的绝对值，n=1，2，..)，电子经过一段飞行后恰好打在图中的O点。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184360868389.png' />

(A)-πr^2Bsinα (B)2πr^2B (C)πr^2B (D)-πr^2Bcosα

<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184025344198.png' />

(A)<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/96184305271749.png' /> (B) (C)<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961842904128991.png' /> (D)<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961842887169021.png' />

(1)设转轴I、II在质点所在的平面内，如附图(a)所示; (2)设转轴III垂直于质点所在的平面，如附图(b)所示， <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961841071680181.png' />

<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-22/969646123404023.png' />

(1)A、B板上的电荷分别在P点产生的场强E_A、E_B; (2)A、B板上的电荷在P点产生的合场强E; (3)拿走B板后P点处的场强E'。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-10-09/971112721135842.jpg' />

A．77.47% B．54.21% C．22.53% D．45.79%