5、关于IGBT,下面()不正确。

A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管; B.IGBT存在电导调制效应; C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快; D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

时间:2024-06-01 17:42:04

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