用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。
晶体三极管放大电路有共发射极、共集电极、（）三种基本接法。
由晶体三极管组成的共发射极、共集电极、共基极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。
三极管共射极交流电流放大系数的定义是（）。
共发射极晶体管交流放大电路的饱和失真和截止失真是指输出电压波形的（）发生畸变。
晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。
晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。
基本的共发射极放大电路由晶体三极管、电阻和直流电源组成。（）
共基极晶体管放大电路的电压放大系数是（）。
在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
晶体三极管共发射极的电流放大倍数β为（）。
双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是（）接法。
在共发射极电路中，当Ib=1mA时，Ic=50mA，当Ib=1.5mA时，Ic=100mA，此三极管的交流放大系数是（）。
在晶体管共射极交流基本放大电路中，集电极负载电阻的作用是（）。
共发射极晶体管放大器与共源极场效应管放大器相比，前者所允许的输入信号幅值将大于后者。
用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，（）。
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电集三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（)。
共发射极晶体管放大器与共源极场效应管放大器相比，前者所允许的输入信号幅值将大于后者。此题为判断题(对，错)。
（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。此题为判断题(对，错)。
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极等3中放大电路中，电压放大倍数最小的是（）
