实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。
下列属于实际金属晶点缺陷的有()Ⅰ.空位;Ⅱ.位错;Ⅲ.置换原子;Ⅳ.间隙原子;Ⅴ.亚晶界。
()是目前工业生产中,广泛用于控制奥氏体晶粒度的元素,用其脱氧的钢中存在着高熔点的弥散的氮化物质点,它阻碍奥氏体晶界的移动,从而细化了晶粒。
因晶粒细化,造成晶界面积增加,阻碍了位错的运动造成强化称为()
在钢铁材料中,能有效阻止位错运动、提高材料强度的途径主要有固溶强化、晶界强化、第二相强化、位错强化。
下列属于实际金属晶线缺陷的有() Ⅰ.空位;Ⅱ.位错;Ⅲ.置换原子;Ⅳ.间隙原子;Ⅴ.亚晶界。
位错运动方向处处垂直于位错线,在运动中是可变的,晶体做相对滑动的方向()
在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。
位错是()缺陷、晶界是()缺陷。
fcc晶体中(111)面上有柏氏矢量为a[1-10]/2的全位错,(11-1)面上有柏氏矢量为a[011]/2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a[2-1-1]/6和a[-121]/6,则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错,该新反应得到的位错( )运动。
晶界是位错运动的障碍,阻碍位错运动,具有强化作用,细化晶粒可以提高强度。
fcc晶体中(111)面上有柏氏矢量为a[1-10]/2的全位错,(11-1)面上有柏氏矢量为a[011]/2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a[2-1-1]/6和a[-121]/6,则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错,该新反应得到的位错( )运动。
由位错滑移的派-纳力公式可以知道( ),位错容易运动。
一个多晶体的晶粒直径为50μm,在晶粒中部有位错源,若在晶界萌生位错所需的应力约为G/10,问要多大的外力才能
9、晶界上原子排列混乱,不存在空位,所以以空位机制扩散的原子在晶界处无法扩散。()
2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动,位错的运动方式有()。
3. 不对称倾斜晶界由两组相互平行的刃位错所组成。
7、沉淀强化的作用机理是位错不断绕过第二相粒子,在粒子周围形成一个位错塞积群,阻碍后续位错靠近;另一方面相邻粒子间距随着位错环的塞积而减小,增大了位错运动的阻力,进一步使金属得到强化。
10、单选题 形变后的材料在低温回复阶段其内部组织发生显著变化的是()。 A:点缺陷浓度明显下降; B:形成亚晶界; C:位错重新运动和分布; D.晶粒形状从变形纤维组织转变为等轴状晶粒
162、位错交割产生的位错线拐弯必然对位错的后续运动产生影响
位错运动时,易产生增殖;运动时易于发生相互交割,形成割阶,引起位错缠结,因此造成位错运动的障碍。()
15、溶质原子主要影响刃位错的运动,对螺位错影响不大
中温回复主要机理是位错运动和异号位错可以互相吸引而抵消,导致位错密度下降。
低温回复主要机理是位错运动和异号位错可以互相吸引而抵消,导致位错密度下降。