电力场效应管MOSFET（）现象。
电力场效应管适用于（）容量的设备。
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
电力场效应管是理想的电流控制器件。
电力场效应管MOSFET是（）器件。
电力场效应管是理想的（）控制型器件。
场效应管的工作状态可分为（）。
电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。
电力场效应管是如下哪一个。（）
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。
电力场效应管指的是（）。
调速的电力电子元件目前应用的主要有晶闸管和IGBT（绝缘栅场效应管）。
【填空题】写出对应的全控器件的英文缩写：门极可关断晶闸管___________，绝缘栅极型场效应管____________，绝缘栅双极晶体管___________ 答案: GTO ■ MOSFET ■ IGBT
场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET
电力场效应管MOSFET容易引起静电击穿的原因是（）
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（C）（）
