NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）
在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo>2Ec（）。
在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。
为了有效地实现调幅，集电极调幅电路必须总是工作于欠压状态。
在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）
在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。
在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证PCM≥（Pc）c。
在集电极调幅电路中，ECC愈小，过压程度（）。
在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo（）。
在集电极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo>4Ec。
在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。
在集电极调幅电路中，ECC愈小，集电极电流脉冲凹陷越小。
在晶体管放大电路中，晶体管集电极的瞬时极性与（）。
在集电极调幅电路中，ECC愈小，集电极电流脉冲凹陷（）。
在集电极调幅电路中，ECC愈小，过压程度越浅。
在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证PCM（）。
在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，晶体管将发生（）
在晶体管共射极交流基本放大电路中，集电极负载电阻的作用是（）。
在晶体管电路中，三极管的集电极和发射极处于正偏压状态时，则三极管是处于（）。
在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有（ ）。
在晶体管的BVCBO、BVCEO、BVEBO这3个击穿电压中，BVCBO的值最大。 ()此题为判断题(对，错)。
晶体管调节器的晶体管在饱和状态时集电结为低电阻此时相当于开关的触点闭合接通电路。（)
在晶体管放大电路中，集电极负载电阻CR的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为（)放大作用。
