半导体中掺入微量的硼、镓、铝等元素后，形成N型半导体。（）
在标准状态下，下列元素按与C发生还原反应开始温度由低到高排列为：P→Zn→Mn→V→Si→Ti。
脂肪族或芳香族胺类氨基上的氢原子被烷基取代，或者通过直接加成而在（）引入烷基的反应都称为N-烷基化。
阻燃剂大多数是元素周期表中VA，VⅡA和（）族元素的化合物。
在含碳量小于0.25%的碳素钢中，加入少量的Mn，V，Si，Ti，Mo，Nb等合金元素（总量一般小于3%）的钢称为（）。
在P型半导体中掺入微量的（）等元素后，半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。
元素周期表条VⅢ族元素对甲烷蒸汽转化反应均有催化剂活性。
C和Si都是ⅣA族元素，所以CO2和SiO2都是分子晶体。()
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
凡是缩小γ相区的元素（如Cr、W、Mo、V、Ti、Si等）均使3A线上升，使S、E向左上移动。
在纯水泥砂浆中掺入（）可提高其和易性和保水性。
目前，III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能？
钢材中含有C、P、N、S、O、Cu、Si、Mn、V等元素,其中（）为有害的杂质元素。
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
合金元素可分为两大类一是（）相区的元素，包括Cr，Mo，W，V，Ti，Si，Al，B等，另一类是（）相区的元素，包括Ni，Mn，Co，Cu，Zn，N。
合金弹簧钢中加入Si、Mn、Cr、V、W等合金元素，其中加入Si、Mn的主要作用是（）
半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素组成的半导体，如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。
在Si中掺入P原子，形成（）主杂质。
C、Si、Ge、Sn、Pb都是第五主族元素.试用钻穿效应解释C、Si呈四价,Ge、Sn有二价和四价,但以四价较稳定.Pb有二价也有四价,但以二价较稳定的原因.
四价硅（Si）元素半导体中掺入五价砷（AS）所形成的半导体叫本征半导体。
p型半导体指在四价元素Si、Ge等中掺入少量三价元素B.Al、SC.Y（）
1、在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体
往纯净半导体中掺入V族元素杂质后，会增加自由电子的浓度。()
