单晶体塑性变形的基本方式是()和()。
第二次世界大战以后,电子工业和半导体工业对超纯材料的要求导致()及各种单晶制备方法和气相沉积法的出现。
单晶体产生塑性变形时,主要取决于滑移面上的()
为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()
工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)
冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么?
下面哪种不是单晶硅的制备方法()。
集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行(),生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元。
制取单晶体的技术关键是保证液体结晶时只有一个晶核。
非晶、()、单晶是固体的三种基本类型。
单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能()技术的最基本元件。
只有一个晶粒组成的晶体成为单晶体。
制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或()。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为()或()。
将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?
单晶体是只有一个晶粒组成的晶体
只有一个()组成的晶体称为单晶体。
在单晶体中外力作用下每次只能开动一个滑移系。
9、当前,单晶硅的制备中85%左右都是采用()。
9、单晶体制备的基本原理是液体结晶时只形成一个晶核
简述制备单晶硅的两种常用方法及常见的单晶晶向。
20、直拉法制备的单晶直径比较大,杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
132、制备单晶时,结晶过程当中,形核速度要非常快
4、单晶直探头接收超声波时是利用压电晶体的()。
22、利用三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。