N型杂质半导体中,多数载流子是()
IN型光电二极管的结构分为()层,P区和N区之间较厚的一层是()半导体。
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
光电池的工作原理是基于光生伏特效应的,硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
外置型天线的接口类型一般属于N型()。
对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。
对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。
在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。
在半导体中掺入施主杂质,其将成为N型半导体。
纯净半导体又称为 半导体,在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体,在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么
2、N型半导体中()浓度相当高。
试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10<sup>15</sup>,10<sup>16</sup>,10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率,并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。
【简答题】P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么?
N型半导体中多数载流子是()。(晶体管)
4、金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不易做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用N型半导体材料。
N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时,栅源电压为负值()
24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
“n”型电气设备正常运行时,即指设备在电气和机械上符合设计规范并在制造厂规定的范围内使用,不可能产生火花、电弧和危险温度()