PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。
当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()
PN结的基本性质是单向导电性,即外加正向电压时呈低阻性,它导通,外加反向电压时呈高阻性,它截止。
PN结具有()性能,即加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。
PN结外加()电压时导通。
当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。
当PN结外加正向电压时,耗尽层()。
PN结外加正向电压,电流值与外加电压的大小有()关系。
PN结两端加正向电压时,其正向电阻()。
当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。
当二极管外加的正向电压超过死区电压时,电流随电压增加而迅速()。
在PN结外加正向电压时,扩散电流( )漂移电流。
◑PN结加正向电压时,空间电荷区将()。◑A.变窄◑B.基本不变◑C.变宽◑D.无法确定
PN结加正向电压时 ,加反向电压时 ,这种特性称为PN结 特性
PN接外加正向电压时,PN结()
一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
当PN结外加反向电压时,漂移电流大于扩散电流。
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄()
当二极管外加的正向超过死区电压时,电流随电压增加而迅速()
P-N结,外加正向电压时,正向电流很小;外加反向电压时,反向电流较大。()
9、当PN结外加正向电压时,耗尽层 。
6、当PN结外加反向电压时,耗尽层()。