IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）
关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
IPSP是服从全和无定律的。（）
EPSP与IPSP的相同点是
47.IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的
A.Na＋内流增多B.K＋外流减少C.K＋外流增多D.Ca2＋内流减少E.CI－内流增多111.形成快EPSP的离子基础主要是（)。112.形成快IPSP的离子基础主要是（)。113.形成慢EPSP的离子基础主要是（)。114.形成慢IPSP的离子基础主要是（)。
关于抑制性突触后电位（IPSP)，下述哪项正确:（)
