半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?
说明费米能级的物理意义,根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度,如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
半导体掺杂
如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是()
半导体有三个主要特征()、()和掺杂特征。
掺杂在半导体生产中的作用有哪些?
离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
P是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种?
在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。
什么是半导体的共掺杂?
半导体有三个主要特性:()热敏特性、掺杂特性。
本征半导体(纯半导体)的Eg小于掺杂质半导体
硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
粒子束注入,离子掺杂可以对材料进行改性
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
12、半导体的掺杂浓度越高,其费米能级的位置也越高
离子注入掺杂的表面浓度不受固溶度限制,既可做浅结低浓度,也可做深结高浓度()
判断:(1)气相外延时,能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 (2)掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍,以减小掺杂气体的流量误差。
掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种?
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
19、N型半导体是掺杂()价化学元素?