为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A . 多晶硅 B . 单晶硅 C . 铝硅铜合金 D . 铜

时间:2022-09-25 05:12:21 所属题库:集成电路制造工艺员(三级)题库

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