硅管和锗管是两种不同材料的晶体三极管。晶体三极管的排列方式分为()和()。
区分硅管和锗管是通过测量BE结的()。
三极管按材料分有硅管,高频管和低频管。
从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?
二极管按材料分:主要有锗二级管和整流二级管。
硅管与锗管的死区电压分别为()。
锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。
常温下二极管的门限电压或阀电压,硅管一般为()左右,锗管为()左右。
二极管按结构分为()和();按材料可分为()和()。
电路如图所示,D 1 、D 2 均为硅管(正向压降0.7V),D为锗管(正向压降0.3V),U=6V,如果二极管的反向电流为V,则流过D 1 、D 2 的电流分别为:() https://assets.asklib.com/psource/2015102716062735611.jpg
常用晶体三极管有硅管和()两种。
硅管比锗管受温变影响()。
硅管比锗管受温度影响()。
二极管导通后,正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为( ),锗管的正向压降为( )
三极管按其制作材料分为硅管和锗管。此题为判断题(对,错)。
二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()
鉴别硅管和锗管时,可用数字万用表的二极管挡直接进行测量判断。硅管为0.7V左右;锗管为V左右()
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
三极管按材料不同可分为硅管和锗管,按频率高低不同可分为高频管和低频管。-般fa≤3 MHz的为低频管()
二极管按材料分类,可分为()管和()管。
晶体二极管按材料可分为()二极管和()二极管。
1、晶体管电流方程为指数特性, 即使电流变化很大, 结电压UBEQ却变化很小, 故算直流工作点时, UBEQ可用一估算值来代替, 一般硅管为0.7V, 锗管为0.3V
二极管的最大反向电流越大,说明二极管的单向导电性越好,硅管的反向电流较锗管大。()