说明费米能级的物理意义,根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度,如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
什么是金属晶体的费米(Fermi)能级?
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
若n型硅中掺入受主杂质,费米能级升高还是降低?若温度升高当本征激发起作用时,费米能级在什么位置,为什么?
在半导体计算中,经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计,试说明这种过渡的物理意义。
对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
在本征硅(或锗)中掺入微量的()价元素,便可形成N型半导体。
一般情况下,P型半导体的费米能级()N型半导体的能级。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体,那么,P型半导体是指在本征半导体中加入微量()价元素所形成的半导体。
N型半导体的费米能级处于禁带()。
费米能级Ef的意义是电子占据率为()时所对应的能级。
费米能级离导带底越近,该半导体的电子浓度越高。
12、半导体的掺杂浓度越高,其费米能级的位置也越高
费米-狄拉克分布函数预测:远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于()。
在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A.五价B.四价C.三价
以下关于“费米能级的变化”说法正确的是:()。
一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
费米-狄拉克分布函数预测:远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于()
4、对于本征费米能级位置的描述,错误的是 。
在本征半导体中加入()元素可形成N 型半导体。
19、本征激发占主导地位时,非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
9、肖特基结的势垒高度与金属和半导体费米能级的相对位置有关。